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根据最新的爆料消息,英伟达目前正在开发下一代旗舰卡,与上一代相比,提升了更多,英伟达的目标是将其下一代“Blackwell”架构GPU的整体性能提升1.7倍。根据新曝光的细节,代号GB202的旗舰产品RTX5090的CUDA内核将增加50%,总数达到24576个。比基于图灵的RTX2080的内核多出8倍多。旗舰新卡的内存带宽也将通过使用32GbpsGDDR7提升52%,高于当前RTX4090的GDDR6X。时钟速度预计将提高15%,这是最大的升级之一。这将使RTX5090的频率提升到2.9GHz,在游戏工作负载中轻松超过3GHz。现有RTX4090的最高频率为2.52GHz。英伟达为了进一步的提高性能,计划将二级缓存增加两倍,提升至128MB,远远超过AMDRX7900XTX上的96MB。这种额外的缓存旨在最大限度地利用GDDR7带来的更高内存带宽。为了进一步提升性能,英伟达计划将二级缓存增加两倍,达到128MB,远远超过AMDRX7900XTX上的96MB。这种额外的缓存旨在最大限度地利用GDDR7带来的更高内存带宽。如果英伟达最终能够实现这些目标,那么从目前曝光的规格来看,RTX5090的性能将比RTX4090高出70%以上。RTX5090与RTX4090的对比:核心数量比RTX4090增加50%内存带宽增加52%二级缓存增加78%(可能为128MB)频率提高15%,提升时钟频率超过3.0GHz

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